PD85025STR-E

功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans

RoHS:

制造商:Freescale Semiconductor

配置:Single

晶体管极性:

频率:1800 MHz to 2000 MHz

增益:27 dB

输出功率:100 W

汲极/源极击穿电压:

漏极连续电流:

闸/源击穿电压:

最大工作温度:

封装 / 箱体:NI-780-4

封装:Tray

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